主要功能：

在核辐射探测器基片上采用化学气相沉积（CVD）的方法来实现单晶硅掺杂、多晶硅、氮化硅、氧化硅等功能层的外延生长，实现微栅结构。主要用于与CsI(Tl)晶体配套采用的雪崩二极管（APD）的研制、硅微条探测器读出方式的改进、太阳能电池的原理性研究等多个方面。 

服务内容：

1）可在硅基衬底上进行单晶硅、多晶硅、氮化硅、氧化硅等功能层的外延生长，最大样品尺寸：Φ100mm；膜厚均匀性：≤±5%； 

2）可对部分器件进磷、氮气氛围退火，温度：室温～500℃；控温精度：1%；压力控制器精度优于0.2%。

主要技术指标：

1）最大样品尺寸：Φ100mm； 

2）膜厚均匀性：≤±5%； 

3）膜厚重复性≤±3%； 

4）样品台升降：（匀流）板-基（片） 距30-60mm；

5）极限真空： ≤9.0×10-5Pa；

6）真空测量范围：大气～1×10-5Pa；

7）流量控制精度：满量程的25%～100% 时，≤±1%、2%～25%时≤±0.25%；

8）加热温度：室温～500℃；

9）控温精度：1%；

10）压力控制器精度优于0.2%。