概括简介：

低能粒子束技术中心成立于2025年，下设离子源室、低能粒子束应用室和电子加速器室。

离子源室专注于高性能离子源的研究、开发与工程应用，在电子回旋共振（ECR）离子源的高电荷态离子产生、强流稳定运行及长时间运行等方面持续突破。作为加速器装置的源头环节，主要为兰州重离子研究装置（HIRFL）、强流重离子加速器装置（HIAF）、低能量强流高电荷态重离子研究装置（LEAF）及超重元素合成加速器装置（CAFE）等国家重大科技基础设施提供稳定可靠的多电荷态离子束。依托现有装置，研究方向覆盖原子物理、核天体物理、材料辐照等领域，同时面向国内外开展ECR离子源设计、研制与系统集成，形成集基础研究与工程应用于一体的综合性平台。

低能粒子束应用室面向大科学装置与国家重大需求。一方面围绕HIAF等装置开展低能强流离子束加速与操控、多源并束及注入器升级研究，突破束流匹配与发射度控制等关键技术，提升装置整体运行效率；另一方面聚焦半导体领域，发挥高电荷态离子源与射频加速器优势，联合龙头企业攻关高能离子注入机核心技术，推动国产装备产业化，并发展高丰度稳定同位素提纯技术，为量子计算提供关键同位素材料支撑。

电子加速器室主要从事电子加速器物理与技术、高能电子成像技术及应用、应用型加速器研发及高品质电子注入器等研究，建成了兰州高能电子成像研究装置，在电子加速器相关领域形成了从基础研究到关键技术攻关的完整能力。

中心承担国家自然科学基金委、科学技术部、中国科学院及甘肃省重大科研项目，充分体现了其在离子源、粒子束操控与电子加速器领域的前沿探索与工程攻关能力，为国家大科学装置建设、粒子束物理与技术研发提供了坚实的科技支撑。

研究方向：

1.高电荷态ECR离子源物理与技术

2.强流离子束产生与稳定运行技术

3.低能强流离子束加速与操控 

4.离子束引出与束流光学  

5.微波耦合与等离子体加热机制

6.特殊离子束制备技术

7.其它离子源(激光离子源，电子束离子源等)物理与技术

8.电子直线加速器物理及技术 

9.高能电子成像技术及应用 

10.高品质电子注入器         

联系方式：

联系人：孙良亭

电话：0931-4969540

邮箱：sunlt@impcas.ac.cn