商业秘密
锕系元素电沉积制靶
  • 知识产权类型
    商业秘密
  • 技术领域
    核物理与核化学
  • 应用领域/场景
    新核素合成与反应截面研究
  • 适宜转化地区/区域
    全国
  • 技术成熟度
    已有样品
  • 合作方式
    合作方式另议
  • 联系人
    杨春莉
  • 邮箱
    Chunliyang@impcas.ac.cn
  • 成果简介
    U、Th、Np、Am、镧系元素靶的制备,厚度范围1-700 微克/平方厘米,衬底涵盖Al、Fe、Ni、Ti等,沉积率最高至98%,靶形状不限